RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de 35% latence réduite
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
46
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2717
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston HX316C10F/8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link