RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
77
Autour de -133% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
1967
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link