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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
77
Autour de -196% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
26
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
2955
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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