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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
72
77
Autour de -7% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
703.4
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
77
72
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
2,733.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
703.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
433
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
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