RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Comparez
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Note globale
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
51
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2182
3593
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link