RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
63
Autour de 30% latence réduite
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
8,883.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
63
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
1863
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link