RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
63
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8,883.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
63
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
1863
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link