RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
44
Autour de -83% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
24
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2879
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Mushkin 994083 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link