RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
63
Autour de -54% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
1,583.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
41
Vitesse de lecture, GB/s
3,895.6
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,583.7
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
639
2656
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link