RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Comparez
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Note globale
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Note globale
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
63
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,098.3
1,583.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
63
52
Vitesse de lecture, GB/s
3,895.6
4,828.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,583.7
2,098.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
5300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
639
913
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-2GBPQ 2GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link