RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
63
Autour de -186% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
1,583.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,895.6
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,583.7
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
639
3879
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link