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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
63
Autour de -110% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2341
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
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Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
UMAX Technology 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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