RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
63
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2341
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-2GBPQ 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link