RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
46
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
23
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2795
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link