RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2952
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link