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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
2952
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
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