RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
60
Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
60
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2359
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link