RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
60
Intorno 23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
1,852.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
60
Velocità di lettura, GB/s
5,535.6
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,852.4
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
2359
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link