RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
50
Autour de -117% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
3017
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link