RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
50
Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
23
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
3017
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link