RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
53
Autour de -77% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
2732
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link