RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
53
Autour de -56% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3055
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
INTENSO M418039 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link