RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
53
Autour de -77% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3014
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link