RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
23.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
53
Autour de -104% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.0
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
23.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
19.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
4276
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NF-CG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5402-052.A00LF 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link