RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
53
Autour de -71% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
2354
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NF-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link