RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
55
66
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
13.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
55
Velocità di lettura, GB/s
13.9
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
13.2
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2429
2701
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link