RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
94
Intorno -395% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
19
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
3521
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link