RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Confronto
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
31
Intorno 16% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
31
Velocità di lettura, GB/s
14.0
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2330
3649
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Confronto tra le RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link