Confronto tra le RAM Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Punteggio complessivo

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

27 31

Intorno 13% latenza inferiore

Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.5 16.7

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.5 11.8

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 21300

Intorno 1.2 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2756 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns