RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Confronto
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
37
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
21
37
Velocità di lettura, GB/s
17.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2771
3075
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link