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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
66
Intorno -154% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
23.1
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.0
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
26
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
23.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
19.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
4276
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
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