RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
66
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
49
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2413
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link