RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
66
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
49
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2413
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C11 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link