RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
46
Intorno -142% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
19
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3066
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link