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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Confronto
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
12.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
46
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
14.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
33
Velocità di lettura, GB/s
14.2
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
13.6
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2717
3116
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
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