RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
46
Intorno -109% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
22
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3222
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link