RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3222
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link