RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
17.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
46
Intorno -109% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
22
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
4116
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link