RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
4116
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link