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AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Confronto
AMD R332G1339U1S 2GB vs Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
AMD R332G1339U1S 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R332G1339U1S 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
65
Intorno 62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.2
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
4.1
2,784.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
10600
6400
Intorno 1.66% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR2
Latenza in PassMark, ns
25
65
Velocità di lettura, GB/s
9.2
4,806.8
Velocità di scrittura, GB/s
4.1
2,784.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
6400
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1096
932
AMD R332G1339U1S 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Super Talent F21UB8GS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
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