RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
55
73
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
55
Velocità di lettura, GB/s
6.3
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
2078
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link