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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
26
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
17
Velocità di lettura, GB/s
12.6
22.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3731
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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