RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
29
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
29
Velocità di lettura, GB/s
12.6
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3086
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link