RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs AMD R748G2400U2S 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
AMD R748G2400U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
AMD R748G2400U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
26
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
23
Velocità di lettura, GB/s
12.6
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2686
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link