RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
33
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
33
Velocità di lettura, GB/s
12.6
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2930
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link