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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
31
Intorno 16% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
31
Velocità di lettura, GB/s
12.6
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3039
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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