RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
101
Intorno 74% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
101
Velocità di lettura, GB/s
12.6
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
1382
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link