RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
73
Intorno 64% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
73
Velocità di lettura, GB/s
12.6
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
1822
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link