RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
66
Intorno 61% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
9.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
12.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
66
Velocità di lettura, GB/s
12.6
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
1934
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link