Confronto tra le RAM Corsair VS1GB800D2 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Corsair VS1GB800D2 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Punteggio complessivo

Corsair VS1GB800D2 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Corsair VS1GB800D2 1GB

Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

37 47

Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.6 1,361.1

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 6400

Intorno 3 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Corsair VS1GB800D2 1GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

460 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns